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       近日，臺積電聯(lián)合臺灣陽明交通大學(xué)團(tuán)隊(duì)宣布，成功研發(fā)出高性能單層二硫化鉬（MoS?）頂柵極晶體管。相關(guān)研究成果已發(fā)表于國際頂級學(xué)術(shù)期刊《自然 - 電子學(xué)》（Nature Electronics），標(biāo)志著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在突破摩爾定律物理極限的道路上邁出關(guān)鍵一步。

       核心突破：解決二維半導(dǎo)體界面缺陷難題

       二硫化鉬作為典型的二維半導(dǎo)體材料，其功能層厚度僅為單原子級（約 0.67 納米），在短溝道尺度下具備天然強(qiáng)柵控能力，被業(yè)界公認(rèn)為后摩爾時(shí)代最具潛力的非硅新材料。然而，二維半導(dǎo)體長期面臨界面缺陷導(dǎo)致電子散射的技術(shù)瓶頸，制約了其性能提升。

       臺積電與陽明交大團(tuán)隊(duì)通過在單層二硫化鉬表面精準(zhǔn)構(gòu)建超薄氧化鋁界面層，并結(jié)合高介電常數(shù)氧化鉿柵介質(zhì)，顯著抑制了界面缺陷引發(fā)的電子散射問題，使晶體管同時(shí)實(shí)現(xiàn)了更強(qiáng)的電控能力和較高的載流子遷移性能。

       產(chǎn)業(yè)意義：提前布局 0.7 納米制程

       業(yè)界普遍認(rèn)為，二硫化鉬材料預(yù)計(jì)將在 1 納米以下的 0.7 納米（A7 制程）/ CFET（互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管）時(shí)代正式引入量產(chǎn)。臺積電此次突破相當(dāng)于提前為下一代制程節(jié)點(diǎn)準(zhǔn)備好了 "材料答案"。

       目前，應(yīng)用材料、ASML、泛林集團(tuán)等全球半導(dǎo)體設(shè)備巨頭均已積極投入對應(yīng)二硫化鉬新材料的設(shè)備研發(fā)。2026 年 6 月，ASML、臺積電與比利時(shí)微電子研究中心（imec）已聯(lián)合在標(biāo)準(zhǔn) 300mm 晶圓上成功驗(yàn)證了 50nm 柵距的二維材料晶體管集成方案，二維半導(dǎo)體正加速從實(shí)驗(yàn)室走向晶圓廠。

       行業(yè)影響

       隨著 AI 算力需求持續(xù)爆發(fā)，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對先進(jìn)制程的追求不斷加速。硅基材料在 1 納米以下節(jié)點(diǎn)面臨物理極限，尋找替代材料已成為全行業(yè)共識。臺積電此次技術(shù)突破不僅鞏固了其在先進(jìn)制程領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，也為整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)指明了 "后硅時(shí)代" 的技術(shù)方向。